（一）晶體管材料與極性的判別
1．從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產晶體管型號命名的第二部分用英文字母A~D表示晶體管的材料和極性。其中，「A」代表鍺材料PNP型管，「B」代表鍺材料NPN型管，「C」代表硅材料PNP型管，「D」代表硅材料NPN型管。
日本產晶體管型號命名的第三部分用字母A~D來表示晶體管的材料和類型（不代表極性）。其中，「A」、「B」為PNP型管，「C」、「D」為NPN型管。通常，「A」、「C」為高頻管，「B」、「D」為低頻管。
歐洲產晶體管型號命名的第一部分用字母「A」和「B」表示晶體管的材料（不表示NPN或PNP型極性）。其中，「A」表示鍺材料，「B」表示硅材料。
2．從封裝外形上識別晶體管的引腳 在使用權晶體管之前，首先要識別晶體管各引腳的極性。
不同種類、不同型號、不同功能的晶體管，其引腳排列位置也不同。通過閱讀上述「晶體管的封裝外形」中的內容，可以快速識別也常用晶體管各引腳的極性。
3．用萬用表判別晶體管的極性與材料 對於型號標誌不清或雖有型號但無法識別其引腳的晶體管，可以通過萬用表測試來判斷出該晶體管的極性、引腳及材料。
對於一般小功率晶體管，可以用萬用表R×100Ω檔或R×1k檔，用兩表筆測量晶體管任意兩個引腳間的正、反向電阻值。
在測量中會發現：當黑表筆（或紅表筆）接晶體管的某一引腳時，用紅表筆（或黑表筆）去分別接觸另外兩個引腳，萬用表上指示均為低阻值。此時，所測晶體管與黑表筆（或紅表筆）連接的引腳便是基極B，而別外兩個引腳為集電極C和發射極E。若基極接的是紅表筆，則該管為PNP管；若基極接的是黑表筆，則該管國NPN管。
也可以先假定晶體管的任一個引腳為基極，與紅表筆或黑表筆接觸，再用另一表筆去分別接觸另外兩個引腳，若測出兩個均較小的電阻值時，則固定不動的表筆所接的引腳便是基極B，而另外兩個引腳為發射極E和集電極C。
找到基極B后，再比較基極B與另外兩個引腳之間正向電阻值的大小。通常，正向電阻值較大的電極為發射極E，正向電阻值較小的為集電極C。
PNP型晶體管，可以將紅表筆接基極B，用黑表筆分別接觸另外兩個引腳，會測出兩個略有差異的電阻值。在阻值較小的一次測量中，黑表筆所接的引腳為集電極C；在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接的引腳為發射極E。
NPN型晶體管，可將黑表筆接基極B。用紅表筆去分別接觸另外兩個引腳。在阻值較小的一次測量中，紅表筆所接的引腳為集電極C；在阻值較大一次測量中，紅表筆所接的引腳為發射極E。
通過測量晶體管PN結的正、反向電阻值，還可判斷出晶體管的材料（區分出是硅管還是鍺管）及好壞。一般鍺管PN結（B、E極之間或B、C極之間）的正向電阻值為200~500Ω，反向電阻值大於100kΩ；硅管PN結的正向電阻值為3~15kΩ，反向電阻值大於500kΩ。若測得晶體管某個PN結的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該管已擊穿或開路損壞。
（二）晶體管性能的檢測
1．反向擊穿電流的檢測
普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置於R×1k檔，NPN型管的集電極C接黑表筆，發射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發射極E接黑表筆。
正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大於10Kω（用R×100檔測，電阻值大於2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5kΩ（用R×10檔測）以上。硅材料晶體管的電阻值應大於100kΩ（用R×10k檔測），實測值一般為500kΩ以上。
若測得晶體管C、E極之間的電阻值偏小，則說明該晶體管的漏電流較大；若測得C、E極之間的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩定性不良。
也可以用晶體管直流參數測試表的ICEO檔來測量晶體管的反向擊穿電流。測試時，先將hFE/ICEO選擇開關置於ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測晶體管的三個引腳插個測試孔，然後按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。
2．放大能力的檢測 晶體管的放大能力可以用萬用表的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置於ADJ檔進行調零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中（採用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線.
