基片材料 | 反應壓力 (t) | H2流量 (sccm) | CH4流量 (sccm) | O2 流量 (sccm) | 基片溫度 (℃) | 燈絲溫度 (℃) | 燈絲與基片距離 (mm) | 基片直流電流密度 (mA/cm2) |
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Si、Mo | 50~70 | 400~800 | 40~80 | 15~30 | 800~1000 | ~2300 | 8~10 | 200~1000 |
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金屬化層材料 | W | |||||
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沉積溫度 | 800℃ | 850℃ | 900℃ | 950℃ | 1000℃ | |
釺焊條件 | 大氣環境,高頻感應加熱850℃ | |||||
刃磨結果 | 刀頭脫落 | 刀具合格 | ||||
失效形式 | 金屬化層W膜與金剛石脫離,露出金剛石生長面 | 無失效 |
加工材料 | 切削用量 | 加工表面粗糙度Ra (μm) | ||
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轉速 (r/min) | 切深 (mm) | 走刀量 (mm/r) | ||
純Al(鑄態) | 1700 | 0.05 | 0.02 | 0.1 |
純Al(鍛態) | 1700 | 0.05 | 0.02 | 0.08 |